特許

J-GLOBAL ID：200903035347989200

イオン注入装置

発明者： 衣川 拓也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186740
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008578
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 イオンビーム径に関係なく、正確にイオンビーム分布プロファイルを測定できること。【解決手段】 イオンビーム分布プロファイルを測定する場合、ビーム照射台16をウエハ保持台12と平行にして、カップ13の入口開口14を塞ぐように移動する。このとき、スイッチ20により、ドーズカウンタ19とビーム照射台16とを接続する。この状態でイオンビームをビーム照射台16に照射する。イオンビームがビーム照射台16に照射されると、温度が上昇する。この温度を温度センサ22で検知して、計測器23に出力する。ビーム照射台16の温度上昇を測定することにより、電流値を求めることができる。この電流値からイオン濃度を求めることができる。

請求項（抜粋）：

被処理体にイオン注入する前に、イオンビームのビーム分布プロファイルを測定する機構を備えたイオン注入装置であって、最適なイオンビーム形状を作成するビーム形状作成手段と、イオンビームを照射する被処理体を載置する載置手段と、被処理体にイオン注入する前にイオンビームが照射される位置に配置され、前記被処理体にイオン注入する際にイオンビームが照射されない位置に配置されるビーム照射台と、前記ビーム照射台又は前記載置手段と電気的に接続され、イオンビームの照射による電流値を測定する電流測定手段と、を具備し、前記ビーム照射台は、イオンビームが照射されることによる温度上昇を検出する温度検出手段を有することを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603

FI (4件)：

H01J 37/317 C ,  C23C 14/48 D ,  H01L 21/265 603 C ,  H01L 21/265 T

Fターム (9件)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029DE01 ,  4K029DE02 ,  4K029DE06 ,  4K029JA01 ,  5C034CD07 ,  5C034CD09