特許

J-GLOBAL ID：200903035351873420

ダイヤモンド電子素子の製造方法

発明者： 林 和志 ,  橘 武史 ,  横田 嘉宏 ,  川上 信之
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169952
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005615
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】素子の個片化を容易にし、且つ製造コストを低減することができるダイヤモンド電子素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上にダイサーにより素子間の境界となる溝2を形成する。そして、この溝2に注射器によりスピンオングラス剤を充填し、焼成することにより溝2に酸化ケイ素を充填する。その後、CVD法によりアンドープダイヤモンド層4及びボロンドープダイヤモンド層5を形成し、このボロンドープダイヤモンド層5の上に電極6を形成する。次に、フッ酸によりウエットエッチングを行って酸化ケイ素を除去した後、溝2をスクライブラインにして基板1をダイシングすることにより、ダイヤモンド電子素子7を個片化する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に素子間境界となる溝を形成する工程と、前記溝にその上にダイヤモンドが成長しない材料からなる充填材を充填する工程と、前記基板上にダイヤモンド層を含むダイヤモンド素子を形成する工程と、前記素子を個片化する工程と、を有することを特徴とするダイヤモンド電子素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  H01L27/14 ,  H01L29/861 ,  H01L31/10

FI (6件)：

H01L21/205 ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L27/14 D ,  H01L27/14 K ,  H01L31/10 A

Fターム (30件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA06 ,  4M118CB01 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  5F045AA03 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045CA19 ,  5F045DB02 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA08 ,  5F049PA03 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049PA17 ,  5F049QA04 ,  5F049QA15 ,  5F049SS03