特許

J-GLOBAL ID：200903035353474271

SiC基板表面の平坦化方法

発明者： 西口 太郎 ,  西野 茂弘
出願人/特許権者： 関西ティー・エル・オー株式会社
代理人 (1件)： 小林 良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234313
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 SiC単結晶基板の表面を原子オーダーのレベルで、かつ高速に平坦化させる。【解決手段】 SiC基板11を(11-20)面が表面となるように切り出し、黒鉛製坩堝12内に配置する。SiC基板11の周囲にはSiC多結晶体13及びSiCパウダー14を入れ、SiC基板11の下及び黒鉛製坩堝12の内壁にはTa板15を設置する。窒素雰囲気中で黒鉛製坩堝12内を1700°C〜2750°Cに熱することにより、原子オーダーのレベルで平坦(平坦度〜0.3nm)な面が従来よりも高速(エッチング速度200〜300μm/hour)に得られる。

請求項（抜粋）：

a)(11-20)面を表面とするSiC基板を用い、b)上記SiC基板をSiC体と共に加熱室内に入れ、c)1414°C〜2830°Cに加熱する、ことを特徴とするSiC基板表面の平坦化方法。

Fターム (6件)：

5F004AA11 ,  5F004BA20 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38