特許

J-GLOBAL ID：200903035357723616

マルチ半導体ベアチップ実装モジュールの製造方法

発明者： 吉良 秀彦 ,  小八重 健二 ,  海沼 則夫 ,  石川 直樹 ,  江本 哲
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087608
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明はスタッドバンプのピッチが広い半導体ベアチップとスタッドバンプのピッチが狭い半導体ベアチップとが混在して圧着接合のフリップチップ方式で実装してあるマルチ半導体ベアチップ実装モジュールを製造する方法に関し、歩留り良く且つ量産性良く且つ経済的損失を少なくして製造可能なようにすることを課題とする。【解決手段】 実装する複数個の半導体ベアチップをスタッドバンプのピッチが広いものとスタッドバンプのピッチが狭いものとに分類し、最初に、スタッドバンプのピッチが広い半導体ベアチップ12-1,12-2,12-4を仮止めしてその後に一括して加圧加熱するマルチマウント方式で実装する工程S10〜S12を行う。次いで、マルチマウント方式で実装された半導体ベアチップの実装状態を検査する工程S13を行う。次いで、検査結果が良好とされた半完成品に対して、スタッドバンプのピッチが狭い半導体ベアチップ12-3を1個づつ置くと共に加圧加熱するシングルマウント方式で実装する工程S14、S15を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に、スタッドバンプのピッチが広い半導体ベアチップとスタッドバンプのピッチが狭い半導体ベアチップとがフリップチップ接合により混在して実装してあるマルチ半導体ベアチップ実装モジュールを製造する方法において、最初に、スタッドバンプのピッチが広い半導体ベアチップを仮止めしてその後に一括して加圧加熱するマルチマウント方式で実装し、次いで、スタッドバンプのピッチが狭い半導体ベアチップを1個づつ加圧加熱するシングルマウント方式で実装するようにしたことを特徴とするマルチ半導体ベアチップ実装モジュールの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 21/60 311 S