特許

J-GLOBAL ID：200903035358951337

チップ形シリコンコンデンサ

発明者： 立花 寛一 ,  犬飼 崇雄 ,  村上 義男 ,  阿部 秀延
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112154
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302465
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 チップの単位面積当りの電極面積を増加して静電容量の大きいチップ形シリコンコンデンサを提供する。また、その電極間のスパークを防止して絶縁耐圧を高める。【構成】 チップ形シリコンコンデンサは、角形のシリコンチップ21と、このシリコンチップ21の表面に積層したSiO2層14と、このSiO2層14上に積層したポリシリコン電極層15と、シリコンチップ21の裏面に被着したポリシリコン電極層16とを有する。SiO2層14はシリコンチップ21の表面に凹凸、例えば溝13を形成し、この溝13表面に積層する。また、このシリコンチップ21の側面21Aおよび誘電体であるSiO2層14の側面にSiO2膜22を被着する。このSiO2膜22によりポリシリコン電極15とシリコンチップ21端縁部との間の放電を完全に防止する。

請求項（抜粋）：

薄板状のシリコンチップと、このシリコンチップの表面または裏面に積層されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜上に積層された電極と、を有するチップ形シリコンコンデンサにおいて、上記シリコンチップのシリコン酸化膜積層面を凹凸面で形成したことを特徴とするチップ形シリコンコンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/08 ,  H01G 1/02 ,  H01G 4/06 102