特許

J-GLOBAL ID：200903035359781281

メタルプラグの形成方法

発明者： 宮本 孝章 ,  角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201332
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053165
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 TiをSi上にCVD法によりClを含む材料ガスを用いて成膜する際に、ClのSiへの浸食を回避して、リーク電流の低減化をはかる。【構成】 半導体層上に開口したコンタクトホールに配線層を埋込むメタルプラグの形成方法において、その一例の製造工程図を図1A〜C及び図2A〜Cに示すように、コンタクトホール3の底部に薄い酸化膜10を形成した後、CVD法によりこのコンタクトホール3内にIVA族金属即ちTi、Zr又はHfの例えばTi層5を堆積して、配線層を被着形成する。

請求項（抜粋）：

半導体層上に開口したコンタクトホールに配線層を埋込むメタルプラグの形成方法において、上記コンタクトホールの底部に薄い酸化膜を形成した後、化学気相成長法により上記コンタクトホール内にIVA族金属を堆積して、配線層を被着形成することを特徴とするメタルプラグの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90