特許
J-GLOBAL ID：200903035360282752
半導体基板エッチング処理装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123471
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326488
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 ウエハ面内でのエッチング量の均一化を図り、高精度なエッチング処理を実現する。【構成】 恒温タンク7によって一定温度に保持されたエッチング液8を、恒温タンク7とオーバーフローエッチング槽2との間で循環させる。オーバーフローエッチング槽2の上部ではエッチング液8がオーバーフローしており、真空チャック12により水平に支持されたウエハ1をエッチング液8の液面に僅かに接触させることにより、ウエハ1のエッチング処理を行う。この場合、真空チャック12により支持されたウエハ1には、正逆回転動作と左右水平方向の往復動作とを複合的に作用させる。エッチング処理後のウエハ1は、オーバーフローエッチング槽2に隣接するオーバーフロー水洗槽19に高速移動させクエンチ処理を施す。
請求項（抜粋）：
オーバーフロー状態に供給されたエッチング液の液面に試料の下面を接触させて、前記試料のエッチング処理を行うためのオーバーフローエッチング槽と、該オーバーフローエッチング槽との間で前記エッチング液を循環させ、エッチング液の温度を一定に保持するエッチング液循環手段と、前記オーバーフローエッチング槽の上方に配設され、前記試料を水平に保持するとともに、前記エッチング液に接触した状態で前記試料を回動させ且つ水平方向に往復移動させる試料保持手段と、を備えた半導体基板エッチング処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
