特許
J-GLOBAL ID：200903035361156475
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145441
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204889
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 p側電極の寿命とひいては素子寿命の大幅な向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光素子において、p型クラッド層9およびその上のp型コンタクト層10、11、12、13をそれぞれストライプ形状に形成し、最上層のp型コンタクト層13とその上のp側電極15との接触界面におけるp型コンタクト層13のストライプ幅をp型クラッド層9の最小ストライプ幅の好ましくは1.5以上にする。p型クラッド層9または最下層のp型コンタクト層10の断面は順メサ形状、逆メサ形状、矩形の形状などとしp型クラッド層上にストライプ形状の開口を有する絶縁膜を設け、この開口を通じてp型クラッド層に接触するように絶縁膜上にp型コンタクト層を設け、p型コンタクト層とp側電極との接触界面におけるp型コンタクト層のストライプ幅をその開口の最小ストライプ幅の好ましくは1.5以上にする。
請求項（抜粋）：
n型クラッド層と、上記n型クラッド層上の活性層と、上記活性層上のp型クラッド層と、上記p型クラッド層上のp型コンタクト層と、上記p型コンタクト層上のp側電極とを有する半導体発光素子において、上記p型クラッド層および上記p型コンタクト層がそれぞれストライプ形状を有し、かつ、上記p型クラッド層の最小ストライプ幅に対する、上記p型コンタクト層と上記p側電極との接触界面における上記p型コンタクト層のストライプ幅の比が1.2以上であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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