特許
J-GLOBAL ID：200903035362153178
3族窒化物半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346596
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173229
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】3族窒化物半導体発光素子の発光面積を大きくする製造方法を提供すること。【解決手段】基板1の上に3族窒化物半導体から成るn+ 層3、n型クラッド層4、発光層5、p型クラッド層61、p型コンタクト層62をエピタキシャル成長により形成した後、p型コンタクト層62の上面に透光性電極71を形成し、次にn電極形成領域Aとなるn+ 層3の一部を露出させるために透光性電極71、p型コンタクト62、p型クラッド層61、発光層5、n型クラッド層4の一部をエッチングする3族窒化物半導体発光素子の製造方法を発明した。この結果、p型層上面全体に透光性電極を形成することができ、発光面積を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に3族窒化物半導体から成るn型層、発光層、p型層を形成した3族窒化物半導体発光素子の製造方法において、基板上に3族窒化物半導体から成るn型層、発光層、p型層を形成し、p型層上面に透光性電極を形成した後、n電極形成領域となる前記n型層の一部が露出するように、その形成領域の前記透光性電極、前記p型層、前記発光層をエッチングして除去することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
