特許
J-GLOBAL ID：200903035363400128
成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-120963
公開番号（公開出願番号）：特開平7-048669
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】本発明は、基板装置から基板への成膜終了後、基板取り出しまでの時間を短くし、単位時間当りの処理枚数の向上を図ることのできる成膜装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は供給側カセット14aに処理する基板6を所定量収納し、真空予備室11に設置する。真空処理室7にスパッタターゲット3a〜3bをセットし、真空ポンプ8により真空予備室11,真空処理室7を真空状態とする。次に、イオン源1からのイオンビーム2をスパッタターゲットに当てて、スパッタターゲット3a〜3bのクリーニングを行う。真空予備室11,真空処理室7を共に高真空状態に保持したまま仕切弁12を開放し、自動搬送機構13により供給側カセット14aから基板6を取り出し、基板6を基板ホルダ5にセットした後、仕切弁12を閉止し、スパッタターゲット3a〜3bによる成膜処理を行うものである。
請求項（抜粋）：
イオン源と、該イオン源から引出されたイオンビームが当る位置に配置されたスパッタターゲットと、該スパッタターゲットに前記イオンビームが当ることにより飛散するスパッタ粒子が付着する位置に配置されて膜が形成される処理基板を保持する基板ホルダと、前記スパッタターゲットと基板ホルダとを少なくとも収納する真空処理室と、処理前の複数の基板がセットされる供給側カセット、及び処理された基板がセットされる受取側カセットが真空状態で収納されている真空予備室と、該真空予備室と真空処理室とを真空遮断可能なように仕切る仕切り弁と、前記真空予備室内の供給側カセットから処理前の基板を前記真空処理室内の基板ホルダに真空状態で搬送したり、前記真空処理室内の基板ホルダ上にある処理済の基板を前記真空予備室内の受取側カセットに真空状態で搬送する自動搬送機構とを備えていることを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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