特許

J-GLOBAL ID：200903035366047968

窒化アルミニウム基板のメタライズ層形成方法

発明者： 渡會 祐介 ,  加藤 直樹 ,  吉田 秀昭
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301843
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128722
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：

【要約】【目的】 AlN基板とメタライズ層との接合強度を高め、かつ、このAlN基板上へ搭載した半導体チップを高温下で使用した場合でも接合強度の劣化を起こさない窒化アルミニウム基板のメタライズ層形成方法を提供する。【構成】 AlN基板11の表面にメタライズ層15を形成するのに先立って、AlN基板表面にAl2O3層14を積層し、このAl2O3とYAlO3とを反応させ、Y3Al5O12粒界層13を基板表面に形成する。このY3Al5O12粒界層13上にメタライズ層15を形成する。このY3Al5O12粒界層13は、メタライズ層15を構成する金属(W、Mo、Ta)に対して濡れ性が良いため、その密着強度が高められる。

請求項（抜粋）：

焼結助剤として酸化イットリウムを用いて焼成された窒化アルミニウム基板上に、タングステン、モリブデン、および、タンタルの群から選ばれる少なくとも1種以上の金属を含有するメタライズ層を形成する方法において、上記メタライズ層の形成に先立って、上記窒化アルミニウム基板の表面に0.01〜100μmの厚さのアルミナ層を形成することを特徴とする窒化アルミニウム基板のメタライズ層形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/18 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 D