特許
J-GLOBAL ID：200903035367283649
樹脂封止型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222681
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】この発明は、平面的・空間的な実装密度を向上させるとともに、リード相互間のピッチを小さくしても、リード曲りの発生を防止する。【構成】半導体チップ11の上に絶縁テ-プ12を介してインナーリード13を接着し、インナーリード13の先端13a を、ボンディングワイヤ14により半導体チップ11の上面に設けられた電極パッド15と接続し、半導体チップ11、絶縁テ-プ12、ボンディングワイヤ14及びインナーリード13を封止樹脂16によりモ-ルドする。インナーリード13はアウターリード17とつながっており、アウターリード17の第1、第2の面17a,17b をパッケージ16の上面16a 、側面16b において露出させ、この上面16a と第1の面17a とをほぼ同一の面となるように構成し、この側面16bと第2の面17b とをほぼ同一の面となるように構成する。従って、平面的・空間的な実装密度を向上させるとともに、リード曲りの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子の上に絶縁テープを介して接着され、前記半導体素子と電気的に接続されたインナーリードと、前記インナーリード、前記絶縁テープ及び前記半導体素子を封止するパッケージと、前記パッケージの上面に露出した面を有し、この面が前記パッケージ上面と同一の面に位置しており、前記インナーリードとつなげられ且つ前記インナーリードの厚さより厚く形成されたアウターリードと、を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 23/12
, H01L 23/28
H01L 23/50 R
, H01L 23/28 A
, H01L 23/12 L
