特許

J-GLOBAL ID：200903035367742228

プログラム可能な素子を備えた半導体装置

発明者： ヤン ウィレム スロトブーム ,  ピエール ヘルマヌス ウォールリー ,  レイノウト ウォルテイヤー
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 沢田 雅男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312681
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209082
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 小さなチップ面積しか必要としないプログラム可能な素子を備えた半導体装置を提供する。【構成】 本発明による半導体装置はプログラム可能な素子を有する。このプログラム可能な素子は、絶縁層(5)の少なくとも一部により互いに分離されたドープされた半導体領域(4)と導体領域(6)とを有する。導体領域(6)は半導体領域(4)の材料と共に整流接合(8)を形成するに適した材料を有している。半導体領域(4)の比較的良好な導通接続を達成するために、上記素子には半導体領域(4)に対して比較的低い電気抵抗を持つ接触領域(3)が設けられる。本発明によれば、上記接触領域(3)は半導体領域(4)の絶縁層(5)からは遠い方の側に設けられ、当該半導体領域(4)により絶縁層(5)から分離される。半導体領域(4)と接触領域(3)との両方は両側部が絶縁領域(7)により境界が形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁層の少なくとも一部により互いに分離されたドープされた半導体領域と導体領域とを有するプログラム可能な素子を備える半導体装置であって、前記導体領域は前記半導体領域の材料とで整流接合を形成するに適した材料を有し、前記プログラム可能な素子には前記半導体領域に隣接すると共に該半導体領域に比べて比較的低い電気抵抗を有するような接触領域が設けられるような半導体装置において、前記接触領域は前記半導体領域の前記絶縁層から遠い方の側に設けられると共に該半導体領域により前記絶縁層から分離され、前記半導体領域及び前記接触領域の両領域は互いに対向する各側部において絶縁領域により境界を形成されている、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/10 437 ,  H01L 27/112

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-015966
  
• 特開昭53-087188