特許

J-GLOBAL ID：200903035368340468

半導体装置の製造法

発明者： 黒木 正勝 ,  花畑 博之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374567
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207474
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】半導体素子を結合する配線の配線間に不純物の存在しない、完全なエアアイソレーション構造の達成を課題とし、半導体プロセスに適合する耐熱性を持った材料を提供すること。【解決手段】シクロヘキサジエン系単量体からなる繰り返し単位を含む重合体に、ビニル系有機架橋剤を加えて反応させて得られる犠牲ポリマーが、金属配線間に配置されたエアアイソレーション構造前駆体から、犠牲ポリマーを除去することからなるエアアイソレーション構造を有する半導体装置の製造法。【選択図】 選択図なし。

請求項（抜粋）：

シクロヘキサジエン系単量体を繰り返し単位(A)とする水素化率が50モル%以上の重合体、または該繰り返し単位(A)と、鎖状共役ジエン系単量体から選択された繰り返し単位(B)と、ビニル芳香族系単量体から選択された繰り返し単位(C)とからなり、繰り返し単位(A)を50モル%以上含有し、繰り返し単位(A)および(B)の水素化率が共に50モル%以上である重合体であって、数平均分子量が10,000以上である重合体(I)と、一分子内に複数のビニル基を有し、数平均分子量が1,000以下である有機架橋剤(II)とを反応させて得られる、耐熱温度が250°C以上、熱分解温度が500°C以下である犠牲ポリマーが、金属配線間に配置されたエアアイソレーション構造前駆体から、犠牲ポリマーを除去することを特徴とするエアアイソレーション構造を有する半導体装置の製造法。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 N

Fターム (18件)：

5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR30 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24