特許

J-GLOBAL ID：200903035373003542

撮像素子及びその製造方法

発明者： 上野 英浩 ,  和田 隆宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350028
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168313
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 フォトセンサ部に影響する重金属類のゲッタリングを容易に行う。【解決手段】 エピタキシャル成長基板19の深層部には、各フォトセンサ部1に蓄積した信号電荷のオーバフローを制限するオーバフローバリア15が形成され、その深層側に第1のゲッタ層16と第2のゲッタ層22が形成されている。第1のゲッタ層16は、基板19の全面に形成されており、エピタキシャル成長工程の前のイオン注入工程によって形成される。第2のゲッタ層22は、第1のゲッタ層16とオーバフローバリア15の中間層に形成されており、各撮像画素(各フォトセンサ部1)の境界部に配置されている。この第2のゲッタ層22は、2段階で行われるエピタキシャル成長工程の中間でイオン注入工程によって形成される。フォトセンサ部1に近い位置にゲッタ層22を配置でき、フォトセンサ部1の近辺の重金属類を取り込み易くなる。

請求項（抜粋）：

重金属のゲッタリングを行うためのゲッタ層を設けたエピタキシャル成長基板に、フォトセンサ部を含む撮像画素を形成した撮像素子において、前記エピタキシャル成長基板のエピタキシャル成長前に形成された第1のゲッタ層と、前記エピタキシャル成長を段階的に分けて行うことにより、各エピタキシャル成長の中間に形成された第2のゲッタ層と、を有することを特徴とする撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/322 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 21/322 J ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

Fターム (17件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13