発光ダイオード素子とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212835
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066450
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 GaAlAs素子表面のAl酸化層の発生を抑制し、LEDの輝度劣化防止と、長寿命を実現することを目的とする。【構成】 GaAlAsエピタキシャル層の裏面第一層にAlAs混晶比0.6以下のp型コンタクト層1と表面第一層に同じくAlAs混晶比0.6以下のn型コンタクト層5を形成する。また半導体基板表面から裏面第一層に達するメサエッチングをおこない、メサエッチング面及び電極を除く表面第一層全面に保護膜を成膜し、素子の側面に露出する高AlAs混晶比部分を保護膜で被覆する。【効果】 Al酸化膜生成を防止、抑制でき、長寿命・高品質のLED素子が得られる。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体による裏面コンタクト層および表面コンタクト層をアルミニウム砒素混晶比が0.6以下のガリウムアルミニウム砒素エピタキシャル層で形成し、前記表裏両面のコンタクト層間にアルミニウム混晶比が0.6をこえるガリウムアルミニウム砒素エピタキシャル層でヘテロ接合を形成したことを特徴とする発光ダイオード素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (18件)

特開昭60-153186
特開昭59-114885
特開平4-212480

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