特許

J-GLOBAL ID：200903035388973122

プログラム可能トランジスタ及びその製造方法

発明者： テーイ ジエームズ チエン
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136427
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 パンチスルー及びソフト書き込みに対して保護がなされ、既知のプログラム可能トランジスタよりも高速で動作するプログラム可能トランジスタを提供することを目的としている。【構成】 本発明によるトランジスタは、第2導電型のドレインとソースとの間に位置する第1導電型のメイン半導体ゾーン内のチャネル領域にわたる電荷記憶領域を具えている。第1導電型の第1不純物領域は、前記ドレインとほぼ横方向に隣接し、前記チャネル領域に延在し、前記メイン半導体ゾーンよりも高ドープされている。前記ドレインは、高ドープされた第3不純物領域と、ほぼ前記第3領域と前記ゾーンとの間に位置する低ドープされた第2不純物領域とを有している。

請求項（抜粋）：

第1導電型とは逆の第2導電型のドレインとソースとの間に位置する第1導電型のメイン半導体ゾーン内のチャネル領域にわたる電荷記憶領域と;前記ドレインとほぼ横方向に隣接し、前記チャネル領域に延在し、前記メイン半導体ゾーンよりも高ドープされた第1導電型の第1不純物領域とを具えているプログラム可能トランジスタであって、前記ドレインが、高ドープされた第3不純物領域と、ほぼ前記第3領域と前記ゾーンとの間に位置する低ドープされた第2不純物領域とを有しているトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-003983
  
• 特開昭62-071277
  
• 特開平2-129968
  
• 特開平2-129968
  
• 特開昭54-019372