特許
J-GLOBAL ID:200903035389986163

2波長半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大澤 斌 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-135060
公開番号(公開出願番号):特開2002-329934
出願日: 2001年05月02日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 少ない部品点数で、しかも出力制御用としてレーザ光の光強度を正確に測定できる構成の2波長半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本2波長半導体レーザ装置10は、780nmのレーザ光を発光する第1の半導体レーザ素子12Aと、650nmのレーザ光を発光する第2の半導体レーザ素子12Bと、第1の半導体レーザ素子の出力制御用の光検出器14とを備えている。第1の半導体レーザ素子及び第2の半導体レーザ素子は、それぞれのレーザストライプ16A、Bが一直線上でかつ同じ高さになる配置で、レーザストライプに直交する方向に設けられた分離溝18により相互に分離されて基板上に配列されている。
請求項(抜粋):
第1の発光波長のレーザ光を発光する第1の半導体レーザ素子と、第1の発光波長より短い波長の第2の発光波長のレーザ光を発光する第2の半導体レーザ素子と、第1の半導体レーザ素子の出力制御用の光検出器とを備え、第1の半導体レーザ素子及び第2の半導体レーザ素子は、それぞれのレーザストライプが一直線上でかつ同じ高さになる配置で、レーザストライプに直交する方向に設けられた分離溝により相互に分離されて基板上に配列され、光検出器は、第1の半導体レーザ素子の分離溝と反対側端面から出射されるレーザ光を受光するように配置され、第2の半導体レーザ素子は第1の半導体レーザ素子の光導波路として機能し、第1の半導体レーザ素子は第2の半導体レーザ素子の出力制御用の光検出器として機能するように構成され、第1及び第2の半導体レーザ素子のいずれか一方が、選択的に動作するようになっていることを特徴とする2波長半導体レーザ装置。
Fターム (6件):
5F073AA21 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA04 ,  5F073CA13 ,  5F073EA04

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