特許

J-GLOBAL ID：200903035392767235

マイクロ波プラズマCVD装置及び方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038831
公開番号（公開出願番号）：特開平9-209156
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高密度プラズマ中で薄膜形成を行っても、基板温度が上昇し基板が溶けたり、または共有結合が解裂するなどのダメージを受けずに、低温で高品質な薄膜を高速に形成することを可能にするマイクロ波プラズマCVD装置及び方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、プラズマ発生室及び成膜室内にガスを導入し、同時にマイクロ波導入手段によりマイクロ波エネルギーを投入してプラズマ発生室内にプラズマを発生させガスを励起、分解して、成膜室内に配された基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD装置及び方法において、前記プラズマ発生室内の該成膜室側とは対向側に電子注入手段を有することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室及び成膜室内にガスを導入し、同時にマイクロ波導入手段によりマイクロ波エネルギーを投入してプラズマ発生室内にプラズマを発生させガスを励起、分解して、成膜室内に配された基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD装置において、前記プラズマ発生室内の該成膜室側とは対向側に電子注入手段を有することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 C ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C