特許

J-GLOBAL ID：200903035394786202

気相成長方法及び気相成長装置

発明者： 中村 正志
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086223
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302522
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 反応管内におけるガスの流れを均一に保ち、以て均一な成長膜の形成を可能ならしめる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。【構成】 キャリアガス供給ラインL9に流量制御装置C9を設け、主供給ラインL10からガス導入口B1,B2,...に至る各経路に流量制御装置C10,C11,C12,C13,C14を設け、流量制御装置C10〜C14と流量制御装置C9との間に制御部16を設ける。制御部16において、流量制御装置C10〜C14で検知された各流量を加算して求めたガスの総流量と所定値とを比較し、前記流量制御装置C9に制御信号を出力する。その制御信号に基づいて流量制御装置C9が作動し、キャリアガスの流量が増減する。【効果】 反応管内に流入するガスの流量を極めて高精度で常時一定に保つことができるので、反応管内のガスの流れを均一に保つことが可能となり、基板上に均一な成長膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

複数の原料ガスを混合してなる混合ガスをキャリアガスで輸送して反応管内に導入することにより基板上に半導体薄膜を気相成長させるにあたり、反応管に流入するガスの流量を検知し、その検知した流量に基づいて前記キャリアガスの流量を調整するようにしたことを特徴とする気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502