特許
J-GLOBAL ID：200903035399480390
誘電体線路
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303607
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】積層化技術を用いて容易に作製可能な、しかも導体による損失の少ない誘電体線路を提供する。【解決手段】誘電体層1a,1b,1cを順次積層してなる基体1と、確誘電体層に、伝送信号波長の1/2以下の間隔dをおいて信号伝送方向に形成された二列のバイアホール導体群A、Bと、基体1の上下面に形成され、バイアホール導体4を列毎に接続する一対の帯状副導体層3と、誘電体層1a,1bのバイアホール導体4群A、B、および誘電体層1b,1cのバイアホール導体4群A、Bを接続する一対の帯状主導体層2とを具備し、誘電体層1a,1cのバイアホール導体4群A、Bの間隔cが伝送信号波長の1/2より小さく、かつ、誘電体層1bのバイアホール導体4群A、Bの間隔bが伝送信号波長の1/2より大きいものである。
請求項（抜粋）：
第1誘電体層、第2誘電体層および第3誘電体層を順次積層してなる基体と、前記各誘電体層にそれぞれ形成され、伝送信号波長の1/2以下の間隔dをおいて信号伝送方向に形成された二列のバイアホール導体群と、前記基体の上下面に形成され、前記第1誘電体層および第3誘電体層に形成されたバイアホール導体を列毎に電気的に接続する一対の帯状副導体層と、前記第2誘電体層の上下面に形成され、前記第1誘電体層と前記第2誘電体層のバイアホール導体群、および前記第2誘電体層と前記第3誘電体層のバイアホール導体群を電気的に接続する一対の帯状主導体層とを具備するとともに、前記第1誘電体層および第3誘電体層に形成された二列のバイアホール導体群の間隔がそれぞれ伝送信号波長の1/2より小さく、かつ、前記第2誘電体層に形成された二列のバイアホール導体群の間隔が伝送信号波長の1/2より大きいことを特徴とする誘電体線路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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