特許

J-GLOBAL ID：200903035403312553

積層型バリスタ

発明者： 上野 靖司 ,  中山 晃慶 ,  中村 和敬 ,  米田 康信 ,  坂部 行雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306892
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121207
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 焼成時における有機物の飛散性を向上して、バリスタ電圧及び静電容量のばらつきを防止できるとともに、漏れ電流を防止できる積層型バリスタを提供する。【構成】 半導体セラミック層5を積層して一体焼結してなる焼結体2の両端面2a,2bに外部電極4を形成し、上記焼結体2内に複数の内部電極3を埋設するとともに、該各内部電極3の一端面3aを上記外部電極4に接続して積層型バリスタ1を構成する場合に、上記内部電極3を、所定の隙間aをあけて平行に延びる3つの帯状の電極部3bからなる櫛形状に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体セラミック層を積層して一体焼結してなる焼結体の両端面に外部電極を形成し、上記焼結体内に複数の内部電極を埋設するとともに、該各内部電極の一端面のみを上記外部電極に交互に接続してなる積層型バリスタにおいて、上記内部電極を、半導体セラミック層の厚み方向に直交する平面上で櫛形状に形成したことを特徴とする積層型バリスタ。