特許
J-GLOBAL ID：200903035404498928
基板へのシリカ系被膜形成方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174445
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008025
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 シリカ系被膜の全体を緻密化することなく、比較的低温かつ短時間の熱処理によりシリカ系被膜の表面部分を選択的に緻密化して、シリカ系被膜にクラックが発生するのを防止し、処理効率の向上と熱エネルギーの消費量の低減化を図る。【構成】 表面にシリカ系被膜形成用塗布液が塗布された基板をホットプレート48上に載置して熱処理する際に、ガス供給ユニット60から基板表面へアルカリ性の蒸気又はガスを供給する。
請求項（抜粋）：
基板の表面にシリカ系被膜形成用塗布液を塗布した後、その基板をホットプレート上に載置して熱処理する基板へのシリカ系被膜形成方法において、表面にシリカ系被膜形成用塗布液が塗布された基板を熱処理する際に、基板の表面へアルカリ性の蒸気又はガスを供給することを特徴とする基板へのシリカ系被膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 U
, H01L 21/31 E
