特許

J-GLOBAL ID：200903035411278062

半導体の製造方法

発明者： 堤 芳紹 ,  富岡 秀起 ,  國友 正人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079563
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275803
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】半導体用の薄膜を製造する方法の生産性を向上させる。【解決手段】液化原料を用いて半導体素子の薄膜を成膜する際に、不要な膜の発生原因となる余分な液体原料27の供給の原因となる余分な空間の少ない構造である液体原料27の気化される場所を、極力成膜の行われる空間の近くにすることが出来、反応に必要なだけの液体原料27を供給する方式を用いることで、余分な液体原料27の供給がなくなるため、不要な膜の発生がなくなり、半導体素子の不良もなくなるので、装置を停止する必要がなくなり装置の稼働率が著しく向上する。

請求項（抜粋）：

液体の原料、或いは固体原料を液化させた液化原料を用いて半導体素子用の薄膜を製造する方法において、薄膜の成膜される空間に隣接する空間内で液化原料を気化する際に発生する塵埃を除去する手段にて塵埃を除去した後、気化された液化原料を成膜の行われる空間に供給して半導体素子を製造することを特徴とした半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/205