特許

J-GLOBAL ID：200903035412199514

BT処理方法及びその装置

発明者： 楠田 達文
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008207
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199383
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの酸化膜中の可動イオンを分離するBT処理工程を簡素化する。【解決手段】 半導体ウエハの表面を帯電ユニット23によるコロナ放電により帯電し、その帯電された半導体ウエハをヒータステージ21で加熱することにより酸化膜中の可動Naイオンの分離を行なう。そして、加熱された半導体ウエハを冷却ファン22で冷却し、冷却された半導体ウエハの表面に除電ユニット24の閃光管を閃光させることにより発生させた紫外線を照射して半導体ウエハの表面を除電する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハにBT処理を施すためのBT処理方法であって、半導体ウエハの表面を帯電する帯電工程と、上記帯電工程で帯電された半導体ウエハを加熱する加熱工程と、上記加熱工程で加熱された半導体ウエハを冷却する冷却工程と、上記冷却工程で冷却された半導体ウエハの表面に紫外線を照射して半導体ウエハの表面の不要電荷を除去する除電工程と、を備えたことを特徴とするBT処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/326 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/326 ,  H01L 21/66 Q ,  H01L 21/66 L