特許
J-GLOBAL ID：200903035420548587
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121726
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 本体素子部のコンタクトで電極物質の堆積とエッチバックによりコンタクト電極を形成する場合に、スクライブ領域底部の不純物拡散領域と配線との電気的に良好な接続を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 スクライブ領域8の一部または全体に基板と同じ導電型の高濃度P型不純物拡散拡散領域2と、前記スクライブ領域8に隣接した領域に、前記高濃度P型不純物拡散領域2と電気的に接続するための1μm×1μmサイズを有する複数個のコンタクト4と、前記コンタクト4の内部にW電極と、前記コンタクト4および前記W電極に電気的に接続する1層目アルミ配線5とを設ける。
請求項（抜粋）：
スクライブ領域の一部または全体に設けられた不純物拡散領域と、この不純物拡散領域と電気的に接続するためのコンタクトと、このコンタクトに電気的に接続する配線とを備え、前記コンタクトは前記スクライブ領域と隣接していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/40
, H01L 21/78
, H01L 21/90
, H01L 29/44
