特許

J-GLOBAL ID：200903035428952891

半導体製造装置用材料及びその製造方法

発明者： 酢谷 潔 ,  荒堀 忠久 ,  岡本 王孝
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235144
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 従来より半導体製造装置用の材料として、高純度石英ガラスが使用されているが、1200°C以上では軟化するため、このような高温域で半導体製品を製造する装置の部品としては使用されていなかった。この石英ガラスに耐熱性を付与するため、表面に耐熱性に優れた酸窒化ケイ素膜が形成された材料が開示されているが、熱変形特性は余り改善されず、高温における熱安定性も十分でなかった。また、加熱冷却の繰り返しにより酸窒化ケイ素膜に剥離が発生し易かった。【解決手段】 ケイ素と炭素を含む反応性ガスを用い、900°Cを超え、かつ1150°C未満の温度で不透明石英ガラスに化学蒸着(CVD)処理を施してその表面に緩衝膜を形成し、その後ケイ素と炭素とを含む反応性ガスを用い、1200°C以上の温度で前記緩衝膜が形成された前記不透明石英ガラスにCVD処理を施して緻密な炭化ケイ素からなる保護膜を形成する。

請求項（抜粋）：

不透明石英ガラスからなる基材の上に多孔質の炭化ケイ素を含む緩衝膜が形成され、該緩衝膜の上に緻密な炭化ケイ素からなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体製造装置用材料。

IPC (4件)：

C03C 17/34 ,  C03B 20/00 ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/22 501

FI (4件)：

C03C 17/34 Z ,  C03B 20/00 ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/22 501 M