半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183421
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009303
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】ショットキーバリアダイオードにおいて、順方向特性を犠牲にすることなく、逆方向特性を向上を図ることにある。【解決手段】シリコン基板2上にエピ層3及び金属層4が順に設けられているショットキーバリアダイオード1において、エピ層3の不純物の濃度N<SB>SBD</SB>(x)は、エピ層3表面からシリコン基板2に向かって、式(1-1)に従って大きくなる。【数1】(WN<SB>SBD</SB>は式(1-1)に従った濃度分布範囲の厚さであり、x(0<x≦WN<SB>SBD</SB>)は前記範囲内で深さを示し、N<SB>SBD</SB>(x)は任意のxにおける不純物濃度、NLは最も金属層4側の濃度、NHは最もシリコン基板2側の濃度である。)

請求項（抜粋）：

半導体基板上に不純物を含有するエピタキシャル層が形成され、このエピタキシャル層上に金属層が設けられ、エピタキシャル層と金属層間でショットキー接合が形成されている半導体装置において、エピタキシャル層の不純物の濃度は、エピタキシャル層表面から前記半導体基板に向かって、主に式(1-1)に従って大きくなることを特徴とする半導体装置。【数1】(式(1-1)で、WN<SB>SBD</SB>は式(1-1)に従った濃度分布範囲の厚さであり、x(0<x≦WN<SB>SBD</SB>)は前記範囲内で上からの深さを示し、N<SB>SBD</SB>(x)は任意のxにおける不純物濃度、NLは前記範囲内で最も金属層側の濃度、NHは前記範囲内で最も半導体基板側の濃度である。)

IPC (3件)：

H01L 29/872 , H01L 21/329 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 P , H01L 29/91 A , H01L 29/91 D

Fターム (16件)：

4M104AA01 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104FF10 , 4M104FF34 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104HH17 , 4M104HH20

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