特許
J-GLOBAL ID：200903035431903087
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209940
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070335
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 レーザチップを損傷させることなく高い歩留まりで個々のレーザチップに分割する方法を提供する。【解決手段】 半導体結晶の基板202側より、ストライプと垂直方向には発光領域の下部を避けた破線状の溝211を形成する。またストライプと平行な方向には連続した溝211をエッチングにより形成する。この溝に沿って刃を当て力を加えて半導体結晶を劈開する。これにより六方晶基板でも互いに垂直な方向に劈開することができる。
請求項（抜粋）：
半導体結晶中にストライプ状の発光領域を有する半導体レーザにおいて、上記半導体結晶の基板側より上記ストライプと垂直および平行な方向に溝を形成し上記溝に沿って上記半導体結晶を劈開することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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