特許
J-GLOBAL ID：200903035435971753
反応性ドライエツチング法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329582
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144781
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 貴金属上に塗布された有機系層間膜のエッチングを行う場合、下地のスパッタによる側壁への付着物を少なくし、かつ異方性のエッチング形状を得る。【構成】 エッチングガスとして、デポジション膜を形成するガスを用いることにより、側壁をデポジションで保護しながらエッチングを行うことにより異方性形状が得られ、かつバイアスが低いため下地からのスパッタによる付着物が少ない。
請求項（抜粋）：
エッチングガスとして、エッチング中にデポジション膜を形成するガス,残差を除去するためのガスおよび有機膜を等方的にエッチングするガスを用い、プラズマを発生させることによりエッチングを進行させる装置を使用し、一定温度,一定ガス流量,一定圧力,一定高周波電力,一定のマイクロ波電力において、貴金属上に塗布された有機系層間膜を、誘電体をマスクとしてエッチングすることを特徴とする反応性ドライエッチング法。
IPC (2件)：
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