特許

J-GLOBAL ID：200903035436461023

プラズマエツチング方法及び装置

発明者： 小松 英雄 ,  阿部 雅敏 ,  石田 丈繁
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318331
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129244
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 高選択比が得られ、かつ再現性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。【構成】 対向電極3をマイナス200°C以上300°C以下の任意温度に設定する手段7を設けて成る。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ(1)内に被エッチングウェーハ(9)を載置するウェーハ載置電極(2)とこれに平行に対向する対向電極(3)を設置し、両電極(2,3)もしくはどちらか一方の電極に交流電力を供給し、かつ真空チャンバ(1)内にエッチングガスを供給して放電させ、プラズマエッチングする方法において、対向電極(3)をマイナス200°C以上300°C以下の任意温度に設定してエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00