特許

J-GLOBAL ID：200903035442056130

集積回路装置の製造方法

発明者： 橋本 浩一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-339910
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188365
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 集積回路装置の製造方法に関し、フィン構造付きスタックト・キャパシタの製造工程数を削減し、集積回路装置の製造歩留りと信頼性を向上させる。【構成】 Si半導体基板1を覆う層間絶縁膜3とa-C膜11を順に形成し、Si膜12とSiO2 膜13からなる積層体を形成し、積層体をa-C膜11と選択比がとれる条件でエッチングして蓄積電極コンタクト・ホールの一部を形成し、a-C膜11と層間絶縁膜3をエッチングして蓄積電極コンタクト・ホールを貫通させ、蓄積電極コンタクト・ホールを含めた表面にSi膜12を形成し、蓄積電極コンタクト・ホールを含めた表面に形成されたSi膜12と積層体をa-C膜11と選択比がとれる条件で蓄積電極形状にパターニングし、SiO2 膜13とa-C膜11を除去して躯幹部12CXから樹枝状に展延するSiのフィン12A,12B,12Cをもつ蓄積電極を完成させる。

請求項（抜粋）：

転送トランジスタなどが作り込まれた基板の表面を覆う絶縁膜を形成してからアモルファス・カーボン膜を形成する工程と、次いで、蓄積電極となるべきSi膜及びスペーサ膜であるSiO2 膜からなる積層体を形成する工程と、次いで、前記Si膜及び前記SiO2 膜からなる積層体を前記アモルファス・カーボン膜と選択比がとれる条件でエッチングを行って蓄積電極コンタクト・ホールの一部を形成する工程と、次いで、前記アモルファス・カーボン膜及び絶縁膜のエッチングを行って蓄積電極コンタクト・ホールを延伸貫通させ前記基板の一部を表出させる工程と、次いで、前記蓄積電極コンタクト・ホール内を含めた表面にSi膜を形成する工程と、次いで、前記蓄積電極コンタクト・ホール内を含めた表面に形成されたSi膜及び前記積層体を前記アモルファス・カーボン膜と選択比がとれる条件で蓄積電極形状にパターニングしてから前記SiO2 膜及び前記アモルファス・カーボン膜を除去して前記蓄積電極コンタクト・ホール内にあるSiの躯幹部から樹枝状に展延するSiのフィンをもつ蓄積電極を完成させる工程とが含まれてなることを特徴とする集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/10 325 M