特許

J-GLOBAL ID：200903035445961217

金属ペーストの焼成方法

発明者： 村上 裕彦 ,  今田 早紀
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115340
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294018
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 金属ペーストを低温度で焼成して、高密度で低抵抗の金属薄膜を形成させ得る焼成方法を提供すること。【解決手段】 平均粒子径0.1μmの銅微粒子をテルピネオール中に分散させた銅ペーストの塗膜を真空電気炉内に装填し、真空中で仮焼して有機物を真空蒸発させ熱分解させて除去し、次いで、酸素ガスを導入し酸化性雰囲気として銅薄膜中に残る分解残渣を酸化させて排除する。その後、水素ガスを導入し還元性雰囲気として前段の酸化性雰囲気で部分的に酸化された銅薄膜を還元して最終的に本焼成を行う。これらの処理は全て500°C以下の温度で行う。

請求項（抜粋）：

金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属ペーストを塗布し焼成して金属薄膜を形成させるに際し、金属ペーストの塗膜を先ず真空中において仮焼して有機溶媒を主体とする有機物を真空排除すると共に加熱分解させて排除し、次いで酸化性雰囲気として仮焼して残留している分解物残渣を酸化させて排除し、更に還元性雰囲気として前記酸化性雰囲気における仮焼によって酸化された金属を還元し本焼成することを特徴とする金属ペーストの焼成方法。

IPC (9件)：

H01B 1/22 ,  C23C 24/08 ,  H01C 17/06 ,  H01C 17/30 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/12 610 ,  B22F 7/04

FI (9件)：

H01B 1/22 A ,  C23C 24/08 B ,  H01C 17/06 M ,  H01C 17/30 ,  H01L 21/283 A ,  H01L 21/285 S ,  H05K 3/12 610 J ,  B22F 7/04 D ,  H01L 21/92 604 E