特許

J-GLOBAL ID：200903035446842890

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 岩田 敬次 ,  橋詰 彰夫
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-175522
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351805
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】表面にポリシリコンが形成された基板を、フッ硝酸を含む処理液によって処理する場合において、基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 【解決手段】この基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置であり、基板Wをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転させるスピンチャック1と、このスピンチャック1に保持されて回転されている基板Wの上面から、基板Wに向けてフッ硝酸を含む処理液2を供給する処理液ノズル3と、この処理液ノズル3を移動させるためのノズル移動機構4を備えている。処理液ノズル3を、基板Wの表面における処理液2の着液点20を、基板Wの回転中心21から所定距離22離隔した位置に保持する。 【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

表面にポリシリコンが形成された基板を処理する基板処理方法であって、 基板の表面にほぼ垂直な所定の回転軸線まわりに基板を回転させる基板回転工程と、 この基板回転工程で回転されている基板の表面にフッ硝酸を含む処理液を供給し、前記基板の表面における前記処理液の着液点を、前記基板の回転中心から所定距離離隔した位置に保持する処理液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133 ,  H01L 21/304

FI (6件)：

H01L21/306 R ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500 ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 648G

Fターム (13件)：

2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  2H090JA06 ,  2H090JB02 ,  2H090JC07 ,  2H090JC19 ,  5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板エッチング方法および基板エッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-124710   出願人：大日本スクリーン製造株式会社