特許
J-GLOBAL ID：200903035455361617
半導体成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214376
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】半導体素子用成膜装置において、大量発生する反応副生成物による排気配管の目詰まり防止と清掃作業頻度の増加を抑制して成膜装置の稼働率を低下させない様にする。【解決手段】反応物吸着配管9は、ヒータ23などにより加熱される高温壁面と低温壁面が対向する流路構造である。この様な反応物吸着配管9に反応室1で生成された反応途中のガス7と微粒子状副生成物8が流入すると、ガス7に高温から低温壁面方向の温度勾配が生じる。その結果、微粒子状副生成物8に高温から低温側に向かう力、いわゆる熱泳動力が作用するために移動して低温壁面に付着堆積する。【効果】排気配管の目詰まり防止と清掃作業頻度の低減により、CVD装置の長期安定稼働が図れる。
請求項（抜粋）：
加熱冷却機構やウエハ支持台等から成る反応室、ガス供給配管やマスフローコントローラ等から成るガス供給系、ガス排気配管や排気ポンプ等から成るガス排気系及びウエハ搬入搬出系により構成される半導体成膜装置において、温度の異なる二つの壁面を対向させ、前記温度の異なる二つの壁面の低温度側の壁面を高温度側の壁面よりも重力方向下方側に配置したことを特徴とする半導体成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 B
