特許
J-GLOBAL ID：200903035456367309
電子流制御素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194533
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041527
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、極低温ないし極微細構造を要せずして、すなわち室温において実用的な電子管と等価な動作をする半導体素子を可能とするものである。【構成】 半導体媒質(1)には、陰極(2)及び陽極(3)が対向して設けられ、いずれも金属薄膜などの導電性材料を、真空蒸着等の方法で形成したものである。この陰極(2)から外部電源(4)によって電気的に電子を注入し、半導体媒質(1)中に非平衡電子(11)を発生させる。このとき。両電極間(2、3)の電界強度を数kV/cmに制御することによって、室温で半導体電子弾道素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性のIII-V族化合物半導体に設けられた導電性電極を等価陰極とし、これと対向して設けられた導電性電極を等価的な陽極とし、半導体内の等価陰極端近傍に非平衡電子を発生させる手段を有し、上記等価陰極と等価陽極との間隔が、弱電界時の電子の平均自由行程より充分長い1μm程度以上に選ばれ、これらの電極間に外部からバイアス電界を与える手段を有し、その電界強度が、外部から、電子の走行方向に対して、垂直な方向に与えられた磁界によって、電極間電流が急減することが確認できるような領域に設定されてあり、これによって、電子の散乱緩和時間が長くなり、その平均自由行程が電極間走行距離以上になされた状態が実現された半導体媒質から構成され、これに電子の走行状態ないし走行経路を制御する電極、ないし磁界等の手段を付加した構造を特徴とする、電子流制御素子。
IPC (2件)：
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