特許

J-GLOBAL ID：200903035459074795

不揮発性メモリの書込制御方法

発明者： 間宮 光伸
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177510
公開番号（公開出願番号）：特開2001-356967
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリを効率的に利用することができる不揮発性メモリ書込制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ポインタ領域のデータを読み出し(100)、読み出したデータが既定値(感光体ドラム、光走査装置や画像形成装置に用いられる消耗部品等の寿命から予め算出した値)より大きい場合には、実使用領域の使用済みアドレスが順次読み出され、書き込み制限回数を越えていないアドレスを検出し、ポインタ領域のデータを修正する(102〜108)ことにより、ポインタ領域のデータが何らかの原因で消失してしまったり、全く別の値になってしまってもポインタ領域のデータを修正することができ、不揮発性メモリを効率的に使用することできる。

請求項（抜粋）：

アクセス回数に対応して対象装置の使用量を管理するためのデータを記録する複数のデータ格納領域と、現在のアクセス回数を格納したデータ格納領域のアドレスを格納するポインタ領域と、を備えた不揮発性メモリに、前記アクセス回数を記録する不揮発性メモリの書込制御方法であって、前記ポインタ領域に格納されたアドレスのデータ格納領域に記録されたデータを読み取り、読み取ったデータに基づいて、前記ポインタ領域に格納されたアドレスを変更することを特徴とする不揮発性メモリの書込制御方法。

IPC (4件)：

G06F 12/16 310 ,  B41J 5/30 ,  G06F 12/00 542 ,  H04N 1/00

FI (4件)：

G06F 12/16 310 A ,  B41J 5/30 Z ,  G06F 12/00 542 K ,  H04N 1/00 C

Fターム (19件)：

2C087AB05 ,  2C087AC08 ,  2C087BB10 ,  2C087BD53 ,  5B018GA04 ,  5B018HA23 ,  5B018NA06 ,  5B018QA01 ,  5B082FA11 ,  5B082GA15 ,  5B082JA06 ,  5C062AA05 ,  5C062AB20 ,  5C062AB23 ,  5C062AB42 ,  5C062AC22 ,  5C062AC60 ,  5C062AF07 ,  5C062BA00