特許

J-GLOBAL ID：200903035467476959

プラズマCVD方法、プラズマCVD装置及び薄膜太陽電池

発明者： 栗部 栄史
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072972
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270527
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 この発明は基板に成膜する際に、その膜厚分布のばらつきを所定の範囲内にできるようにしたプラズマCVD方法を提供することにある。【解決手段】 電極21が配置された成膜室3〜5に基板13を搬送位置決めし、この基板に薄膜を形成するプラズマCVD方法において、上記電極と上記成膜室に位置決めされる基板との平行度を測定する工程と、上記電極と上記基板との対向間隔を12mm以下の所定の値に設定するとともに、これら電極と基板との平行度を1mm以内に設定する工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

電極が配置された成膜室に基板を搬送位置決めし、この基板に薄膜を形成するプラズマCVD方法において、上記電極と上記成膜室に位置決めされる基板との平行度を測定する工程と、上記電極と上記基板との対向間隔を12mm以下の所定の値に設定するとともに、これら電極と基板との平行度を1mm以内に設定する工程とを具備したことを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 31/04 V

Fターム (24件)：

4K030BA29 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030HA13 ,  4K030JA03 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045DA65 ,  5F045DQ15 ,  5F045EB10 ,  5F045EH14 ,  5F045EN04 ,  5F045HA25 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA16 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051FA03 ,  5F051GA03