特許
J-GLOBAL ID：200903035469142020
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056258
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268098
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 一括して半導体素子の位置合せが可能であり、しかも実装工程中において不良半導体素子の取り換えができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体素子を直接基板上へ埋め込み、平面配線により相互接続を行う半導体集積回路装置の製造方法において、半導体素子11の端子電極12にバンプ13を形成する工程と、半導体素子11を補助基板14と位置合せして仮止めする工程と、半導体素子11を実装基板21上に接着固定する工程と、補助基板14を取り除いて、半導体素子11を樹脂25により平坦化し、半導体素子11への平面配線を行う工程とを施す。
請求項（抜粋）：
半導体素子を直接基板上へ埋め込み、平面配線により相互接続を行う半導体集積回路装置の製造方法において、(a)半導体素子の端子電極にバンプを形成する工程と、(b)前記半導体素子を補助基板と位置合せして仮止めする工程と、(c)前記半導体素子を実装基板上に接着固定する工程と、(d)前記補助基板を取り除いて、前記半導体素子を樹脂により平坦化し、前記半導体素子への平面配線を行う工程とを施すことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 321
