特許
J-GLOBAL ID:200903035474120965

誘電体バリア放電ランプを用いた表面処理装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 遠藤 恭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-171166
公開番号(公開出願番号):特開2000-011960
出願日: 1998年06月18日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】有機物汚染を半導体デバイス、ガラス基板等から除去するための乾式洗浄や表面改質において、洗浄効率を改善し、装置の小型、低価格化を実現する。【解決手段】本発明に係る表面処理装置10は、クリプトンガス又はキセノンガスを封入した第1の誘電体バリア放電ランプ12と、クリプトンと塩素の混合ガスを封入した第2の誘電体バリア放電ランプ13と、紫外光を透過するガスを充填し、上記第1及び第2の誘電体バリア放電ランプを収容する筐体11と、上記筐体に備えられ、上記第1及び第2の誘電体バリア放電ランプからの紫外光を透過し、上記筐体外に置かれた被処理体に同時に照射可能とする紫外光透過板14とを備えて構成される。
請求項(抜粋):
クリプトンガス又はキセノンガスを封入した第1の誘電体バリア放電ランプと、クリプトンと塩素の混合ガスを封入した第2の誘電体バリア放電ランプと、紫外光を透過するガスを充填し、上記第1及び第2の誘電体バリア放電ランプを収容する筐体と、上記筐体に備えられ、上記第1及び第2の誘電体バリア放電ランプからの紫外光を透過し、上記筐体外に置かれた被処理体に同時に照射可能とする紫外光透過板と、を備えた誘電体バリア放電ランプを用いた表面処理装置。
IPC (7件):
H01J 65/00 ,  H01J 61/16 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  C23C 8/12 ,  C23G 5/00
FI (7件):
H01J 65/00 A ,  H01J 61/16 N ,  H01L 21/304 645 D ,  C23C 8/12 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/26 J ,  H01L 21/302 N
Fターム (13件):
4K053PA01 ,  4K053PA13 ,  4K053QA04 ,  4K053RA03 ,  4K053SA01 ,  4K053SA20 ,  5C015PP04 ,  5C015PP05 ,  5F004AA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DB23 ,  5F004FA08

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