特許
J-GLOBAL ID：200903035480429552
単結晶育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078977
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251088
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：
【要約】【課題】 分解溶融型化合物の単結晶を成長方位を制御しながら安定に育成することができる単結晶育成方法を提供する。【解決手段】 図2(A)に示すように、原料棒24と種結晶25とが溶接される。次に、図2(B)に示すように、加熱が中止され、上軸22a,下軸22bを同期させて移動させる。そして、図2(C)に示すように、原料棒24の溶接部と反対側の端部を加熱・融解して、融帯26を形成する。次に、図2(D)に示すように、上軸22a,下軸22bを同期させて移動させることにより、融帯26を原料棒24と種結晶25との接合部Cへと移動させる。次に、図2(E)に示すように、融帯26を種結晶25に接触させて、種付けを行う。次に、図2(F)に示すように、融帯26を原料棒24の接合部C側から他端側へと移動させ、加熱溶融と冷却凝固を連続的に行うことにより、単結晶28を育成する。
請求項（抜粋）：
多結晶体および種結晶を加熱炉中に保持するステップ、前記多結晶体と前記種結晶とを接合するステップ、前記多結晶体の前記種結晶と接合された側とは反対側を加熱して融帯を形成するステップ、前記融帯を前記多結晶体の前記種結晶と接合された側へ移動させて前記種結晶に接触させ種付けするステップ、および前記種結晶に接触し種付けされた前記融帯を前記多結晶体の前記種結晶と接合された側とは反対側へ移動させることにより単結晶を育成するステップを含む、単結晶育成方法。
IPC (4件)：
C30B 13/00
, C30B 13/24
, C30B 29/28
, H01F 1/34
C30B 13/00
, C30B 13/24
, C30B 29/28
, H01F 1/34 J
