特許

J-GLOBAL ID：200903035481278086

中純度金属シリコンとその製錬法

発明者： バリュエ,ジェラール ,  カラティニ,イヴ
出願人/特許権者： アンヴァンシル
代理人 (1件)： 太田 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-515451
公開番号（公開出願番号）：特表2004-535354
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

本発明は、中純度のシリコンを製造する方法を対象としており、該方法は以下を含む:・ホウ素含有率が低いシリコンを、サブマージアーク電気炉でのシリカの炭素熱還元によって製錬すること、・酸素又は塩素で液体シリコンを精錬すること、・中性ガスを注入して、10Paから100Paの減圧下で、精錬されたシリコンを処理すること、・分離凝固。本発明はまた、エレクトロニクス又は光起電力の品位のシリコンの製造に原料として用いられるための中純度シリコンも対象としており、該中純度シリコンは以下を示す(質量比で):・100ppmと400ppmの間に含まれ、そのうち金属元素含有率が30ppmと300ppmの間に含まれる不純物合計、・1ppmから10ppmのホウ素含有率、・0.5と1.5の間に含まれる、リンの含有率とホウ素の含有率との間の比。

請求項（抜粋）：

光起電力又はエレクトロニクスの品位のシリコン製造において原料として用いられるための中純度シリコンを製錬する方法であって、以下を含む方法: ・ホウ素含有率が低い液体シリコンを、サブマージアーク電気炉での炭素熱還元によって製錬すること、 ・酸素又は塩素で液体シリコンを精錬すること、 ・中性ガスを注入して、10Paから100Paの間の減圧下で、液体シリコンを処理すること、 ・分離凝固

IPC (1件)：

C01B33/037

FI (1件)：

C01B33/037

Fターム (13件)：

4G072AA01 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ03 ,  4G072JJ06 ,  4G072MM03 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072MM40 ,  4G072RR04 ,  4G072RR22 ,  4G072TT19 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-130009
  
• 特開平4-193706
  
• 特開昭55-023083
  
• 特開昭63-103811