特許
J-GLOBAL ID:200903035483665010

半導体レ-ザ駆動回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 紋田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-258676
公開番号(公開出願番号):特開平5-075192
出願日: 1991年09月11日
公開日(公表日): 1993年03月26日
要約:
【要約】【目的】 半導体レーザ素子を高周波電流を重畳した直流電流で駆動し、温度変化に対して発光量を一定に制御する際する場合、直流電流が発光開始電流を越えてレーザ光のノイズが増大することを防止する。また、回路構成を簡単にする。【構成】 上記直流電流は常に発光開始電流以下に保持し、重畳する高周波電流の振幅を温度変化に応じて調節する。また、光量設定回路に一定の温度特性を有する半導体素子を配設することにより、温度変化に対して発光量を一定に制御する。【効果】 半導体レーザ素子が連続発光することがなくなるので、ノイズの増大が防止される。また、温度検出回路や光量検出回路を備えることなく、所定の制御を実行することができる。
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子に高周波電流を重畳した直流電流を通電して発光させ、その発光の平均パワーを温度変化に拘らず常に一定に保持する半導体レーザ駆動回路において、常に上記半導体レーザ素子に発光開始電流以下の一定の直流電流を通電する一定電流通電手段と、上記一定電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段と、その高周波電流の振幅を温度変化に応じて調節することにより上記平均パワーを一定に保持する発光パワー制御手段とを備えていることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
IPC (2件):
H01S 3/096 ,  G11B 7/125

前のページに戻る