特許

J-GLOBAL ID：200903035484260692

ラインプラズマ気相堆積装置及び方法

発明者： 森田 達夫 ,  ロバート ジェイ. マルクナス ,  ジル ファウンティアン ,  ロバート ヘンドリー ,  伊藤 政隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  リサーチ トライアングル インスティチュート
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279498
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【課題】 処理される基板表面の損傷が低減された、大きな基板を処理するのに適したラインプラズマ気相堆積装置、及びそれを用いたラインプラズマ気相堆積方法を提供する。【解決手段】 プラズマチャンバ内に電界を生成する電界生成器を備えたプラズマチャンバを有するタイプのプラズマソースにおいて、プラズマチャンバが、プラズマが処理される表面から遠隔に配置され、活性種がプラズマチャンバの細長い放出口を通して該プラズマチャンバに排出するように構成する。

請求項（抜粋）：

プラズマチャンバ内に電界を生成する電界生成器を備えたプラズマチャンバを有するタイプのプラズマソースであって、該プラズマチャンバが、プラズマが処理される表面から遠隔に配置され、活性種が該プラズマチャンバの細長い放出口を通して該プラズマチャンバに排出するように構成されている、プラズマソース。

IPC (9件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46

FI (9件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B