特許

J-GLOBAL ID：200903035499600783

シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系半導体層の形成方法及び光起電力素子

発明者： 近藤 隆治 ,  山下 敏裕 ,  佐野 政史 ,  林 享 ,  ▲高▼井 康好 ,  酒井 明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325691
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206168
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 産業的に実用レベルにある成膜速度で、光電特性の優れたシリコン半導体層の形成方法と、それによって形成されたシリコン系半導体層を用いた光起電力素子を提供すること。【解決手段】本発明は、 真空容器内に原料ガスを導入し、前記真空容器内に導入した基板上にプラズマCVD法を用いて微結晶を含んだシリコン系半導体層を形成する方法であって、ハロゲン原子を含む原料ガスを用い第1の領域を形成する第1の工程と、前記第1の領域の上に前記ハロゲン原子を含む原料ガスが前記第1の工程よりも少ない条件で第2の領域を形成する第2の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空容器内に原料ガスを導入し、前記真空容器内に導入した基板上にプラズマCVD法を用いてScherrer半径が10nm以上の結晶粒径の微結晶を含んだシリコン系薄膜を形成する方法であって、まずハロゲン化シリコン及び水素を含んでいる原料ガスを用いマイクロ波を用いた高周波プラズマCVD法により第一のシリコン系薄膜領域を形成し、次にVHFを用いた高周波プラズマCVD法により、前記第一のシリコン系薄膜領域の上に第二のシリコン系薄膜領域を積層することを特徴とするシリコン系薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V

Fターム (25件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030LA16 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF10 ,  5F045DQ05 ,  5F045EH20 ,  5F051AA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35