特許
J-GLOBAL ID：200903035501358286
電荷転送装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217665
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069250
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 超低消費電力でありかつ高速クロック動作可能、しかも低周波動作条件でも安定に動作する単1電子電荷転送装置を提供する。【構成】 半導体基板上に第一ゲート電極群と交互に挾まれて形成された第二ゲート電極群とを有する半導体装置と、第一ゲート電極群と第二ゲート電極群に異なる相のクロック電圧を入力し、第一ゲート電極群の下の第一伝導チャネルと第二ゲート電極群の下の第二伝導チャネルの間の1個のみのキャリアの移動を制御する電位を第一ゲート電極群及び第二ゲート電極群に与えるクロック電圧発生手段とを有する。【効果】 クーロン遮蔽を用いるために、短チャネル効果がなく、より微細化が行え、さらに低周波の動作条件でも1つの電荷のみを転送するだけなので熱的に励起される電荷によりデータを書き換えられる恐れがない。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形成された素子分離領域に囲まれた第1の領域と、該第1の領域にゲート絶縁膜を介して形成された制御ゲート電極群及び第一ゲート電極群と、上記制御ゲート電極群及び上記第一ゲート電極群を覆う他の絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に上記他の絶縁膜を介して上記第一ゲート電極群と交互に挾まれて形成された第二ゲート電極群と、上記他の絶縁膜により上記基板表面に形成される電位ポテンシャル障壁と、上記第一ゲート電極群の下に形成される第一伝導チャネルと、上記第二のゲート電極群の下に形成される第二伝導チャネルとを有する半導体装置と、上記第一ゲート電極群と上記第二ゲート電極群に異なる相のクロック電圧を入力し、上記第一伝導チャネルと上記第二伝導チャネルの間の1個のみのキャリアの移動を制御する電位を上記第一ゲート電極群及び上記第二ゲート電極群に与えるクロック電圧発生手段とを有することを特徴とする電荷転送装置。
IPC (3件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
, H04N 5/335
