特許
J-GLOBAL ID：200903035503192431
マグネトロンスパッタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-262337
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板に形成される薄膜の膜厚分布を均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。【解決手段】 被処理基板1に対向して配置されるターゲット2と、ターゲット2の背面側に配置され、マグネトロン放電用の磁場をターゲット2の前方に形成するための磁場形成手段3と、を備える。磁場形成手段3は、楕円状の外形を有する環状の大径磁石3aと、この大径磁石3aの内側に配置され、楕円状の外形を有する環状の小径磁石3bと、を有する。マグネトロン放電用の磁場を形成するための磁力線が、大径磁石3a及び小径磁石3bのいずれか一方からいずれか他方に向けて形成されている。
請求項（抜粋）：
被処理基板に対向して配置されるターゲットと、前記ターゲットの背面側に配置され、マグネトロン放電用の磁場を前記ターゲットの前方に形成するための磁場形成手段と、を備えたマグネトロンスパッタ装置において、前記磁場形成手段は、楕円状の外形を有する環状の大径磁石と、この大径磁石の内側に配置され、楕円状の外形を有する環状の小径磁石と、を有し、マグネトロン放電用の磁場を形成するための磁力線が、前記大径磁石及び前記小径磁石のいずれか一方からいずれか他方に向けて形成されていることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
Fターム (3件)：
4K029DC42
, 4K029DC43
, 4K029DC45
