半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198427
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016173
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】高密度配線が可能で、リフロー時の剥離を防止された半導体装置を得る。【解決手段】基板1は金属からなる底板11と樹脂複合材からなる枠材12からなり、凹部22を有する。凹部22には半導体チップ2が埋め込まれ、その上には半導体チップ2の端子に層間導通部42を有した絶縁層3が設けられ、絶縁層3には層間導通部と導通する導体配線41を設けられ、さらに導体配線41上にビルドアップ法により、スタッドビアを有する絶縁層と導体配線パターンが積層される。

請求項（抜粋）：

凹部を有する基板、上記凹部に埋め込まれた半導体チップ、上記半導体チップおよび基板表面を被覆し、上記半導体チップの接続端子部に開口を有する絶縁層、上記開口を導電性材料で導通を持たせた層間導通部、並びに上記絶縁層に設け、上記層間導通部と導通する導体配線を備えた半導体装置であって、上記基板が、サーマルバイヤーを形成した樹脂複合材料、または金属からなる底板と、この底板に接着され、上記半導体チップより大きい貫通孔を有し、ポリイミドまたは樹脂複合材料からなる枠材とを備えたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/12 501

FI (3件)：

H01L 23/12 501 S , H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 J

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