半導体発光ダイオードの光射出境界面において生じる反射を減少する方法及び半導体発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中平治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-327408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251642
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】改善された光出力を有する、半導体発光ダイオードの光射出境界面において生じる反射を減少する方法及び相応する半導体ダイオードを提供する。【解決手段】両方ともそれぞれ光波の波長の1/4の光学的な厚さを有しその屈折率が所定の順序になった第1及び第2の半導体層からなる対を堆積することによって、破壊的な干渉により全体的に有効な反射の減少、及び生じる有効な光出力の増加が達成でき、表面接点と活性領域との間の電流流通を害することはない。同時に層の間の境界面においても、横向きの電流伝搬のために多数キャリヤのためのエンハンスメント領域によるバンド不連続を利用でき、光出力は、均一に、とくに接点面によって覆われない活性領域の範囲にも分配される。層装置の原子構成部分は、すでに半導体ダイオードにおいても存在するので、新しい物質を供給せずにエピタキシャル的に製造することができる。

請求項（抜粋）：

光射出境界面及び光学的に活性の領域に対して平行に配置されたλ/4-層装置を利用し、光学的に活性の領域が、波長λの光を放出する、大きな屈折率を有する半導体材料とそれより小さな屈折率を有する外側の物質との間において半導体発光ダイオード(LED)の光射出境界面において生じる反射を減少する方法において、a)層装置が、大きな屈折率を有する第1のλ/4-層とその上においてそれより小さな屈折率を有する第2のλ/4-層とからなる少なくとも1つの対のからなり、これらの層が、両方ともそれぞれ光波の波長の1/4の厚さ、又はその奇数倍を有し、その際、b)層が、それぞれ交代するように、対が、互いに重ねて配置されており、かつ光射出面を介して外側の物質に接触するいちばん上のλ/4-層が、小さな屈折率を有するλ/4-層であり、その際、c)λ/4-層として、電気的に導通する半導体材料が利用され、かつd)層装置から反射されるすべての光の振幅が、光射出境界面の反射された光の振幅と破壊的に干渉するように、層装置内における対の数、及び/又は第1及び第2のλ/4-層の間の屈折率の相違が選定されていることを特徴とする、半導体発光ダイオード(LED)の光射出境界面において生じる反射を減少する方法。

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