特許

J-GLOBAL ID：200903035512009860

半導体集積回路の製造方法

発明者： チェンーフア ダグラス ユ
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206154
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151417
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 均一で高品質の極めて薄い誘電体層を集積回路に形成する方法を提供する。【構成】 誘電体材料(11)の上に誘電体材料(19)をプラズマ強化気相成長方法で堆積する。堆積は、個別の流速を有するプリカーサガスと酸素によって行われる。プリカーサガスと酸素の流速は、その堆積速度が標準のプラズマ強化気相成長方法の堆積速度よりも遅くなるように制御される。望ましくは、酸素の流速のプリカーサガスの流速に対する比は、約2.4以上とされる。一般的に、堆積は反応器内で行われ、反応器内の圧力は、8torr±10%、6torr±10%、及び6〜8torrの範囲から選択される。また、プラズマの全パワーは、350W±10%、100〜200W、及び200〜300Wの範囲から選択される。代表的なプリカーサガスとしては、TEOSが使用される。

請求項（抜粋）：

誘電体材料(11)の上に誘電体材料(19)をプラズマ強化気相成長方法で堆積する半導体集積回路の製造方法において、前記堆積は、個別の流速を有するプリカーサガスと酸素によって行われ、前記プリカーサガスと酸素の流速は、その堆積速度が標準のプラズマ強化気相成長方法の堆積速度よりも遅くなるように制御されることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-155625
  
• 特開平2-285636